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极紫外线技术有望让晶体管“瘦身”75％

中国材料进展

据英国《自然》杂志网站报道，芯片制造商英特尔公司表示，将向总部设在荷兰的半导体设备制造商阿斯麦投资41亿美元，其中10亿美元专门用于极紫外线（EUV）光刻技术的研发，新技术有望让晶体管的大小缩减为原来的1／4。

关键词: 紫外线技术 , 晶体管 , 瘦身 , 《自然》杂志 , 英特尔公司 , 芯片制造商 , 设备制造商 , 光刻技术

基于碳纳米管的晶体管及其集成的研究进展

王晓峰 , 黄如 , 傅云义 , 张兴

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.028

基于碳纳米管的场效应晶体管是目前研究的热点,是所有分子电子学器件中最有可能取代MOSFET,并维持摩尔定律的器件.本文对其基本原理、发展状况和重要性进行了简述,着重介绍了目前常用的撒落法和催化剂定位方法制备碳纳米管场效应管的工艺流程以及结果,并介绍了碳纳米管的掺杂以及相关集成的研究进展.

关键词: 碳纳米管 , 场效应 , 晶体管 , 集成 , 掺杂

石墨烯规模化制备技术及其产业化应用展望

邵丽 , 魏大鹏 , 史浩飞

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.04

石墨烯是一种新型二维材料，具有优异的导电性、热导率、透光率、力学强度等特性，可广泛应用于电子信息、航空航天、光电子技术、绿色能源、生物医药等诸多领域，被誉为21世纪战略新型材料，为世界各国所布局和抢占的战略制高点。目前，石墨烯的大面积、高质量、规模化制备和应用尚处于起步阶段，本文综述了国内外在石墨烯材料制备技术的研究进展，以及在智能终端、能源等领域的应用进展，展望了今后石墨烯行业的关注点。

关键词: 石墨烯 , 规模化制备 , 智能终端 , 能源 , 晶体管 , 光电探测

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

张新安 , 张景文 , 张伟风 , 侯洵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.018

采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT).研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大.用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关.

关键词: 氧化锌 , 薄膜 , 晶体管 , 退火

碳纳米管在典型微纳电子器件中的应用进展

刁加加 , 安立宝 , 常春蕊

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163102.0149

优异的电学、热学、机械特性和化学稳定性以及独特的一维纳米结构,使碳纳米管(CNT)成为应用在微纳电子器件中的理想功能材料.与传统电子器件相比,CNT微纳电子器件性能更为优异.本文综述了近年来制备和改进基于CNT的场发射器、晶体管和传感器的研究进展.经过特定方法的组装和处理,可使CNT场发射器获得低阀值电压、高发射电流和发射电流稳定等优异性能,使CNT晶体管具有高迁移率、大跨导和大电流开闭比,可提高各种CNT传感器的灵敏度.

关键词: 碳纳米管 , 应用 , 场发射器 , 晶体管 , 传感器