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紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响

宇慧平 , 隋允康 , 张峰翊 , 常新安 , 安国平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.032

本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降.晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长.

关键词: 直拉单晶硅 , 紊流模型 , 晶体旋转 , 坩埚旋转

低氢含量工业纯钛循环变形的微观结构Ⅰ.γ氢化物附近的晶体旋转及胞结构的形成

陈常强 , 李守新 , 李广义 , 艾素华

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.03.003

对均匀弥散分布着γ氢化物的低氢含量的工业纯钛进行循环疲劳试验.发现在氢化物碎化之前,位错可以穿过氢化物和基体的共格界面,从而使氢化物发生剪切变形,然而在氢化物碎化之后,位错则不能继续穿过界面,而是在界面处缠结.这被归结于由于氢化物尺寸发生变化导致氢化物内部应力降低,氢化物不能继续发生剪切变形所致.透射电镜观察表明,在氢化物的内部至少能激发3套滑移系统.为了协调氢化物和基体之间的不均匀变形,在氢化物和基体内部都发生了晶体旋转,并且氢化物和基体之间的取向关系遭到了破坏.对相应的晶体旋转的机制进行了讨论.

关键词: 纯钛 , 氢化物 , 循环形变 , 位错 , 晶体旋转

[011]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为──Ⅱ.表面滑移特征及形变带

李小武 , 王中光 , 孙守光 , 吴世丁 , 李守新 , 李广义

金属学报

本文系统研究了[011]多滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下循环饱和后的表面滑移特征.结果表明,[011]多滑移取向铜单晶体的疲劳极限低于[001]多滑移取向铜单晶体.当应变幅γpl≥2.5×10-3时,表面出现两种宏观形变带(DBI和DBII);它们呈严格的正交关系,其形成可能与循环加载中产生的不可逆晶体旋转密切相关.当应变幅γpl≥5.0×10-3时,表面还出现DBIII形变带,其惯习面为(001);此类形变带的出现是[011]单晶体在高应变幅下循环达到峰值应力后出现明显循环软化现象的根本原因

关键词: [011]多滑移取向铜单晶体 , cyclic deformation , deformation band , rotation of crystal

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