王利娟
,
蔡达锋
,
吴英
人工晶体学报
本文基于晶体场理论,建立了10×10阶的3d~1离子的全组态能级矩阵,由全对角化法(CDM)计算了ZPPH (ZnKPO_4·6H_2O)∶ VO~(2+)晶体的吸收光谱与顺磁g因子;同时,运用3d~1离子在C_(4v)对称下的能级公式和电子顺磁共振(EPR)参量高阶微扰(PTM)公式,计算了ZPPH∶ VO~(2+)晶体的光学吸收谱和EPR参量g因子g_(//),g_⊥和超精细结构常数A_(//),A_⊥,所得理论结果与实验符合.两种理论方法对比研究表明:对3d~1(V~(4+))电子组态,微扰法所得结果是全对角化法所得结果的一种很好近似.对所得结果的合理性进行了讨论.
关键词:
晶体场理论
,
吸收光谱
,
电子顺磁共振参量
,
ZPPH∶VO~(2+)晶体
黄永平
人工晶体学报
基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.
关键词:
晶体场理论
,
电子顺磁共振参量
,
缺陷结构
,
ThSiO4
,
V4+晶体
陈太红
,
曾体贤
,
彭松山
,
宋婷婷
,
蒲瑾
,
谌家军
人工晶体学报
本文考虑3d电子和轨道局域性差异和配体旋-轨耦合作用的影响,在晶体场理论和电子顺磁共振理论基础上,采用d轨道模型,推导出了3d2/d8电子组态在D3d对称下的广义能量矩阵,利用双共价因子双旋-轨耦合EPR谱高阶微扰公式,统一解释了CdX2(X=Cl、Br):Ni2+晶体的吸收光谱和EPR谱.
关键词:
晶体场理论
,
电子顺磁共振
,
吸收光谱
,
局域结构
王利娟
,
张百珊
,
吴英
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.06.005
采用晶体场理论和3d9电子组态在平面四角晶场中的g因子和超精细结构常数A的三阶微扰计算公式以及CdCl2:Cu2+晶体的局域结构与EPR谱之间的定量关系,合理解释了CdCl2:Cu2+晶体的EPR谱及局域晶体结构,所得EPR参量与实验观测相符合.研究发现芯极化常数约为0.2827.平面四角键长的变化约为0.013 nm.因此,CdCl2晶体中掺杂Cu2+后,由于静态Jahn-Teller效应引起的晶格驰豫,导致晶格在平面四角内发生了略微伸长的畸变.
关键词:
光谱学
,
电子顺磁共振
,
晶体场理论
,
掺铜氯化镉
涂超
,
谢林华
,
杜香容
人工晶体学报
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量.本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制.计算结果与实验数据是一致的.说明电荷转移机制对(ZnKPO4·6H2O)∶VO2+晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用.
关键词:
自旋哈密顿参量
,
晶体场理论
,
电荷转移机制
,
(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+
