李宗峰
,
周旗钢
,
何自强
,
冯泉林
,
杜娟
,
刘斌
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.021
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.
关键词:
直拉硅单晶
,
大直径
,
空洞型微缺陷
,
晶体原生粒子缺陷
,
高温退火
