孔令民
,
蔡加法
,
陈主荣
,
吴正云
,
牛智川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.
关键词:
InAs量子点
,
浸润层
,
时间分辨谱
