肖鹏
,
徐永东
,
张立同
,
成来飞
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.023
旋转CVI是在CVI原理基础上发展的一种制备C/SiC复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转, 使预制体的制备与基体的沉积同步进行, 能有效消除一般CVI工艺过程中存在的“瓶颈”效应. 在自制的旋转CVI设备上实验, 探索了旋转CVI工艺参数中CH3SiCl3(MTS)的流量与浓度、沉积温度和C布缠绕线速度对SiC基体沉积速度，以及沉积温度对基体结构的影响.并在低压(5kPa)、高温(1100C)?、400 mL-1 H2、200 mL-1Ar、MTS40C 与C布以1.13.5mm-1的线速度连续旋转的沉积条件下，实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及C布层间宏观孔隙的致?密化同步完成.
关键词:
旋转CVI
,
C/SiC复合材料
,
沉积速度
,
基体结构
