朱崇强
,
杨春晖
,
王猛
,
夏士兴
,
马天慧
,
吕维强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.06.001
ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料.晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶体的应用发展.本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况.首先,利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷是受主缺陷V-Zn及施主缺陷VOP和Ge+Zn,其相应的缺陷能级分别为E(V-Zn)=EC-(1.024±0.03)eV,E(VOP)=EV+(1.61±0.06)eV和E(Ge+Zn)=EV+(1.70±0.03)eV.对晶体作了电子照射及高温退火等处理后,又分别发现了两种缺陷V3-Ge和Vpi.其次,利用全势能线性muffin-tin轨道组合法模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷.主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致,但由于理论模拟与实际情况还存在差距,有些计算结果与实验结果相矛盾.因此,将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷是今后研究的重点.
关键词:
ZnGePz晶体
,
电子顺磁共振
,
受主缺陷
,
施主缺陷
,
密度泛函理论
夏士兴
,
杨春晖
,
朱崇强
,
马天慧
,
王猛
,
雷作涛
,
徐斌
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01029
采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,品体毛坯尺寸达Ф20mm×90mm,选取品体尾部、品体中部、籽品端三个部位厚度为4.0mm的抛光品片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明品体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷Ge+Zn和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施丰缺陷Ge+Zn.
关键词:
磷化锗锌
,
近红外吸收
,
缺陷密度
,
施主缺陷
,
受主缺陷
