魏健文
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.007
以方势垒描述N-I-d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N-I-d波超导体结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度在不同纳米量级下的隧道谱形状各异,即便其厚度处在同一纳米量级上,彼此间仅相差零点几个纳米,电会导致微分电导随偏压的变化关系迥异,这为解释高Tc氧化物超导体的相关实验现象提供了更多的可能性;(2)粒子的入射角和绝缘层的势垒值对零偏压电导峰有显著影响.
关键词:
方势垒
,
绝缘层厚度
,
N-I-d波超导体结
,
隧道谱
魏健文
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.012
考虑准粒子的非弹性散射和正常金属区域的杂质散射,以方势垒描述N/I/d波超导体结中绝缘层对准粒子输运的影响,运用Bogoliubov-de Gennes(Bde)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了N/I/d波超导体结的隧道谱.研究表明;(1)伴随着准粒子的非弹性散射效应,绝缘层的势垒值及绝缘层厚度对零偏压电导峰值有显著影响;(2)准粒子有限寿命的缩短,可压低零偏压电导峰,并抹平能隙处的小峰或凹陷;(3)较大的杂质散射会导致零偏压电导峰的劈裂,而准粒子的非弹性散射则可有效地阻止其劈裂.
关键词:
非弹性散射
,
方势垒
,
N/I/d波超导体结
,
隧道谱
吉跃仁
低温物理学报
以方势垒描述正常金属/绝缘层/自旋三重态p波超导结中绝缘层对准粒子输运的影响,通过求解Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,利用Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论,计算了p波超导结的隧道谱.研究表明:(1)绝缘层厚度的增加,可导致自旋三重态p波超导结隧道谱中出现亚能隙共振峰,粗糙界面散射和杂质散射均对亚能隙共振产生影响;(2)对于px波结,粗糙界面散射和杂质散射均能使零偏电导峰变成凹陷,杂质散射能引起零偏电导峰的劈裂;(3)对于px波结,绝缘层厚度和杂质散射的变化均能在能隙内产生阶梯状的谱形,粗糙界面散射和杂质散射均能使谱线中的零偏电导凹陷上升为峰;(4)对于px+ipy波结,绝缘层厚度和粗糙界面散射均可导致双凹陷结构的消失和小的能隙峰的出现,它们的变化对零偏压处是峰还是凹陷产生直接影响;杂质散射能使零偏电导峰出现劈裂,并使零能凹陷和能隙处的双凹陷加深.
关键词:
方势垒
,
N/I/p波超导结
,
隧道谱
