张广军
,
顾冬红
,
李青会
,
干福熹
,
刘音诗
无机材料学报
利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜, 热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态. 通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升
温速率条件下的结晶峰温度, 计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子. 从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度, 可以用于高速可擦重
写相变光盘.
关键词:
新型AgInSbTe相变薄膜
,
crystallization kinetics
,
XRD
,
DSC
张广军
,
顾冬红
,
李青会
,
干福熹
,
刘音诗
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.037
利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜,热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升温速率条件下的结晶峰温度,计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度,可以用于高速可擦重写相变光盘.
关键词:
新型AgInSbTe相变薄膜
,
结晶动力学
,
XRD
,
DSC