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基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响

王天生 , 田永君 , 彭炜 , 漆汉宏 , 李林

稀有金属材料与工程

研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响.采用脉冲激光沉积(PLD)法在0°~6°斜切(001)SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜.用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析,用标准四引线法测定薄膜电阻-温度关系,从而确定薄膜的超导电性能.结果表明,随斜切角度的增大,薄膜晶体质量下降,晶格弯曲畸变程度增大,超导临界转变温度降低,转变宽度增大.

关键词: YBCO薄膜 , 微观结构 , 斜切基片 , 超导电性

斜切基片上溅射生长高密度小尺寸Ge纳米点的研究

杨杰 , 王茺 , 陶东平 , 杨宇

功能材料

采用离子束溅射技术,在斜切的单晶Si基底上生长了高密度的小尺寸Ge纳米点。系统研究了斜切基底上的表面台阶对Ge纳米点生长初期表面原子吸附行为的影响,以及斜切基片上Ge纳米点随原子沉积量的演变规律。实验结果表明,在斜切基片上原子级的表面台阶能有效地抑制吸附原子的表面扩散。因此,有利于Ge纳米点的形核,并抑制纳米点的过度长大,从而获得高密度、小尺寸的Ge纳米点。

关键词: Ge纳米点 , 离子束溅射 , 斜切基片

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