贺文兰
,
程孝虎
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张星
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李广
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金绍维
低温物理学报
采用脉冲激光沉积法在（100）0．7wt％Nb：SrTi03（NSTO）衬底上制备了La0．8Sr0．2Mn03（LSMO）／NSTO（100）异质结，仔细研究了原位沉积氧压和真空退火对LSMO／NSTO异质结的结构及其整流伏安特性的调控．X-射线线性扫描和原子力显微镜测量显示，低氧压制备的LSMO／NST0（100）异质结具有良好的外延结构和平整的表面．电流-电压（I-V）盐线显示，沉积氧压为100mTorr的异质p～n结展现出极好的整流伏安特性；而氧压为240mTorr的异质p～n结平缓增加的电流可解释为异质P～n结在界面处晶格缺陷的增加．作为对比，沉积氧压调控的LSMO／SrTiO3（100）薄膜的输运性也被研究．电阻率结果显示，低氧压制备的LSMO薄膜，其电阻率的增加及金属-半导体转变温度L的降低归因于氧空位增加诱导的Mn4＋离子减少及MnO6八面体的畸变．
关键词:
沉积氧压
,
异质结
,
整流特性
,
输运性
李彤
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李驰平
,
王波
,
宋雪梅
,
张铭
,
严辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.011
对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.
关键词:
p-n结
,
阻挡层
,
择优取向
,
整流特性
李彤
,
刘盾
,
裴志军
,
王雅欣
,
孙守梅
,
马兴兵
,
冯立营
,
张铭
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.012
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较好的整流特性.这可能是由于衬底温度的升高导致氧气吸收的增加,进而导致载流子浓度增大,串联电阻降低.电流电压的变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于能带结构模型与热激活模型共同决定.值得提出的,异质P-N结结电阻随温度变化曲线呈现出单层LSMO表现的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.
关键词:
异质结
,
整流特性
,
庞磁阻
陆然
,
张铭
,
代红云
,
严辉
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法,首次在n型Nb0.01SrTi0.99O3单晶衬底上成功制备出La0.7Sr0.3MnO3/Nb0.01SrTi0.99O3异质p-n结.电学性能测试表明,该异质结在40～320 K温度范围内均表现出较好的整流特性,且扩散电势随温度升高而降低.这是由于耗尽层厚度在热扩散作用下逐渐变薄以及温度对界面电子结构调制作用的共同结果.随外加正向偏置电流的增加,提高La0.7Sr0.3MnO3薄膜中的空穴浓度,增强其双交换作用,使金属-绝缘转变温度从200 K升高至约250 K.
关键词:
p-n异质结
,
整流特性
,
磁控溅射
冯玉春
,
张铭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.013
利用磁控溅射法制备了La0.96Sr0.04MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质p-n结,研究了20-300 K温度范围内该p-n结的伏安特性,在20-300 K该p-n结表现出优异的整流特性,在温度大于100K时该异质p-n结I-V特性符合热激发模型.该异质结在170 K温度点表现出明显的金属-绝缘态转变,电阻温度曲线表现为绝缘态→金属态→绝缘态的转变过程.在5 T磁场作用下,随温度增大,正偏压时磁致电阻(MR)逐渐从负变为正;而在负偏压下MR逐渐从正变为负,并在-1 V的偏压下、金属-绝缘态转变温度点170 K处达到负的最大值-50.6%.
关键词:
p-n异质结
,
整流特性
,
磁致电阻
