丁辛城
,
彭代明
,
陈梓侠
,
程骄
电镀与涂饰
通过极化曲线、电化学阻抗谱、计时电流等电化学测量方法研究了整平剂TS-L对铜电沉积的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 75 g/L,H2SO4 240 g/L,Cl-60 mg/L.结果表明,TS-L会抑制铜的电沉积,有利于得到平整、光亮的镀层.随TS-L用量增大,其抑制作用增强.TS-L的用量为50 mg/L时,铜的电沉积由基础镀液的三维瞬时成核转变为三维连续成核.随TS-L质量浓度的增大,镀液的深镀能力提高.在电镀液中添加50 mg/L整平剂TS-L、10 mg/L光亮剂TS-S和600 mg/L抑制剂TS-W时,深镀能力为87％,铜镀层的延展性和可靠性满足印制线路板行业的应用要求.
关键词:
电镀铜
,
整平剂
,
深镀能力
,
极化
,
电结晶
,
延展性
,
可靠性
肖友军
,
雷克武
,
王义
,
屈慧男
,
陈金明
,
伍小彪
电镀与涂饰
介绍了一种盲孔填孔电镀铜复合光亮剂,该光亮剂由抑制剂C(乙二醇与丙二醇的共聚物)、光亮剂B(N,N-二甲基二硫代羰基丙烷磺酸钠)和整平剂L(含氮杂环混合物)组成.先采用CVS(循环伏安剥离)法分析各添加剂对电镀速率的影响,以确定镀液中各组分有效浓度的分析方法.再通过全因子试验研究抑制剂C、光亮剂B和整平剂L对填孔率的影响.结果表明,光亮剂B和整平剂L用量对盲孔填孔效果的影响较大,抑制剂C的影响较小.在由210 g/L CuS04·5H20、50 g/L H2SO4和50 mg/L氯离子组成的基础镀液中加入0.5 mL/L光亮剂B、10 mL/L整平剂L和15 mL/L抑制剂C时,填孔率大于90％,镀液通电量在200 A·h/L以内可达到良好的填孔效果.镀铜层的延展性和可靠性满足印制线路板(PCB)行业的应用要求.
关键词:
填孔
,
电镀铜
,
抑制剂
,
光亮剂
,
整平剂
,
循环伏安剥离
,
全因子试验
李超
,
孙江燕
,
韩赢
,
曹海勇
,
孙红旗
,
李明
电镀与涂饰
研究了宏观整平剂、微观整平剂及电流密度对铜微凸点表面平整性的影响,探讨了2种整平剂和电流密度对铜微凸点表面的作用机制.镀液组成和工艺参数为:CuSO475 g/L,H2SO4100 g/L,Cl-50 mg/L,整平剂H和W0～10 mg/L,(25±2)℃,60 r/min,1～8A/dm2,35 min.结果表明,宏观整平剂可促进铜的沉积,微观整平剂则可抑制铜的沉积,二者相互配合可改变电镀过程中镀孔的电力线分布,使电流密度分布均匀.在一定范围内提高电流密度可加快铜微凸点的生长.在6 A/dm2下,2种整平剂的质量浓度均为5 mg/L时,可制得结晶细腻、表面平整的铜微凸点.
关键词:
铜微凸点
,
电镀
,
整平剂
,
电子封装
,
表面形貌
肖宁
,
邓志江
,
滕艳娜
,
潘金杰
,
张宜初
,
雍兴跃
电镀与涂饰
研究了噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠(SH110)、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、聚乙烯亚胺烷基盐(PN)以及四氢噻唑硫酮(H1)4种整平剂对酸性电镀铜层表面形貌和显微硬度的影响.基础镀液组成为:CuSO4·5H2O 220 g/L,H2SO4 55 g/L,Cl-60 mg/L,聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)3 mg/L,聚乙二醇(PEG6000) 100 mg/L.在一定范围内,整平剂的质量浓度越高,镀层表面越光滑、平整,显微硬度越高.选择2g/L H1作为整平剂时,所得镀层的显微硬度可长时间(14d以上)满足电子雕刻的要求(180 ～ 220 HV).H1与其他3种整平剂之间的协同作用的强度顺序为:H1+ SH110＞ H1+ CTMAB＞ H1 +PN.
关键词:
电镀硬铜
,
酸性硫酸盐体系
,
整平剂
,
显微硬度
,
表面形貌
,
协同作用
厉小雯
,
唐有根
,
罗玉良
,
康东红
电镀与涂饰
以N-乙烯基咪唑和1,4-丁二醇二环氧甘油醚为原料合成了一种带聚醚链的整平剂,采用FT-IR和<'1>H NMR对其结构进行了表征.对由此整平剂与聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)和聚乙二醇(PEG-6000)组成的添加剂体系与市售整平性能较好的添加剂的阴极极化曲线、铜镀层表面形貌和镀液均镀能力作了对比.结果表明,含此整平剂的添加剂在细化颗粒能力和均镀能力方面均比市售添加剂好,并能在较宽的电流密度范围内(0.6～10A/dm<'2>)得到光亮的铜镀层.该整平剂可作为一种性能良好的添加剂应用于印制线路板(PCB)酸性镀铜工艺.
关键词:
酸性镀铜
,
印制线路板
,
整平剂
,
均镀能力
