孙超
,
陈猛
,
裴志亮
,
曹鸿涛
,
黄荣芳
,
闻立时
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.02.001
ZnO:Al(ZAO)是一种简并半导体氧化物薄膜材料,具有高的载流子浓度和大的光学禁带宽度.因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.对于其能级高度简并的ZAO半导体薄膜材料.在较低的温度下.离化杂质散射占主导地位:在较高的温度下,晶格振动散射将成为主要的散射机制;晶界散射仅当晶粒尺寸较小(与电子的平均自由程相当)时才起作用.本文介绍了ZAO薄膜的制备方法、晶体结构特性、电学和光学性能以及载流子的散射机制.
关键词:
透明导电氧化物
,
简并半导体
,
ZAO薄膜
,
散射机制
,
电学光学性质
刘霞
,
曹连振
,
蒋红
,
宋航
低温物理学报
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的In0.82Ga0.18As外延材料.研究了缓冲层退火前后In0.82 Ga0.18As外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓度和迁移率随温度变化的关系,并利用位错散射、极化光学声子散射等对实验数据进行了拟合.结果表明,实验值与理论值符合较好,在较低温度下(＜150 K),位错散射起主要作用,而在较高的温度下(＞250 K),极化光学声子散射占主要地位.
关键词:
In0.82Ga0.18As
,
变温霍尔效应
,
散射机制
