姚惠林
,
路纲
,
宋丽君
,
王波
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.03.007
通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管(LED)器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因.对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降.所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率.结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20％.
关键词:
光电子学
,
量子效率
,
效率下降
,
电子阻挡层
