程华
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钱永产
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薛军
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吴爱民
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石南林
材料研究学报
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响.结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5-2倍,但是薄膜的结晶度较低；以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
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ECR-PECVD
,
放电气体
