安晓晖
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李蓉萍
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田磊
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何志刚
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吴蓉
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李忠贤
稀土
应用双源法真空蒸发制备掺Gd的CdTe薄膜,并借助XPS对其进行组份分析.实验表明,Gd掺杂的CdTe薄膜的组分为Cd、Te、O、C、Gd等元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面;Cd、Te元素的存在方式为CdTe化合物及其氧化物形式;而Gd元素由于碳污染的原因在其表面未曾出现,只在刻蚀过程中出现;深度剥蚀分析表明在样品内部Cd元素的含量大于Te元素的含量,且接近于1∶0.8,趋于稳定.
关键词:
真空蒸发
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掺Gd-CdTe 薄膜
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XPS
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成分