肖海波
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张峰
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张昌盛
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程新利
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王永进
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陈志君
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林志浪
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张福民
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邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.006
通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.
关键词:
掺Er-Al2O3薄膜
,
PL谱
,
光透射谱
