刘萌萌
,
潘国峰
,
白卫芹
,
王其民
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.12.003
采用 sol-gel法,以钛酸丁酯、四氯化锡为前驱体制备了不同掺杂量的 SnO2-TiO2纳米粉末,样品经300,500,700和900℃退火后,利用浸渍提拉法,在Al2 O3陶瓷管表面制备了SnO2-TiO2厚膜。通过 XRD和SEM对制备的纳米粉末的物相、形貌进行表征,静态配气法对其气敏性能进行测试,并结合分子轨道理论探讨了气敏机理。实验结果表明,经700℃退火的4％(原子分数)掺杂的SnO2-TiO2气敏元件,对乙醇气体具有很好的选择性,在工作温度为63℃时,对乙醇气体的灵敏度可达1903,响应-恢复时间分别为1和3 s,所制备的气敏元件有望用于乙醇气体的实用化检测。
关键词:
sol-gel法
,
气敏传感器
,
TiO2厚膜
,
掺杂量
王勇
,
高家诚
,
李伟勤
,
周永贵
,
陈功明
材料导报
对纯钼及不同掺杂量的Si、Al、K掺杂钼的组织和性能进行了研究.利用金相显微镜观察了热分析以后的组织形貌,用透射电镜观察了烧结坯的精细结构.将掺杂钼在不同温度退火后测试其硬度,并对比分析了纯钼和掺杂钼的高温拉伸性能.发现经过加热到1600℃热分析以后,掺杂钼的晶粒比纯钼细小,而且掺杂量愈大,晶粒的长径比愈大;烧结态纯钼中没有第二相粒子存在,而掺杂钼的晶粒和晶界上分布着掺杂颗粒.掺杂样加热到一定的温度时硬度值都显著下降,随着掺杂含量的增加,硬度最小值出现的温度随之升高;掺杂钼条的高温抗拉强度和屈服强度都明显高于纯钼,并且随着实验温度的提高,强度的提高幅度增大.
关键词:
掺杂钼
,
掺杂量
,
显微组织
,
硬度
,
高温性能
邢帅
,
刘钟馨
,
姜宏
,
熊春荣
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.005
以C4 H4 SnCl3和SbCl3为反应先驱体,采用常压化学气相沉积法制备Sb掺杂SnO2薄膜,研究了薄膜沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征.XRD结果表明薄膜具有四方相金红石晶型结构,在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜;XPS结果表明元素Sb主要以Sb5+的形式掺杂于SnO2薄膜中.还讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响.结果表明,当Sb掺杂量为2％,基板温度为600℃,镀膜时间为4 min时可制备出可见光透过率为75％、红外透过率仅为30％的薄膜,且此时薄膜方块电阻为38.4 Ω/□.
关键词:
化学气相沉积
,
薄膜
,
掺杂量
,
基板温度
张小丽
,
毛健
,
侯廷红
,
杨玲
,
涂铭旌
稀有金属材料与工程
采用浸渍法制备了Ce/纳米TiO2复合粉体,用XRD对复合粉体的晶体结构进行了表征.以紫外光照下降解甲基橙为目标,研究了Ce掺杂量和焙烧温度对Ce/纳米TiO2复合粉体的光催化能力的影响规律,并分析其机理.结果表明:Ce掺杂能有效地提高纳米TiO2光催化降解甲基橙的能力,在400℃～700℃的焙烧温度下,纳米TiO2为锐钛型晶型结构,0.4%Ce(质量分数,下同)掺杂的复合粉体具有最好的光催化降解甲基橙的能力,其原因在于Ce4+掺杂有利于在TiO2纳米粒子中心和表面之间产生电势差,实现光生电子-空穴对的有效分离,因此存在一个最佳掺杂浓度使得光催化活性最高;焙烧温度对Ce/TiO2纳米复合粉体的影响依赖于Ce的掺杂量,低掺杂量时,较高的焙烧温度降解效果较好;高掺杂量时,较低的焙烧温度降解效果较好.
关键词:
Ce
,
纳米TiO2
,
光催化
,
掺杂量
,
焙烧温度
张小丽
,
毛健
,
侯廷红
,
杨玲
,
涂铭旌
稀有金属材料与工程
采用浸渍法制备了Ce/纳米TiO2复合粉体,用XRD对复合粉体的晶体结构进行了表征.以紫外光照下降解甲基橙为目标,研究了Ce掺杂量和焙烧温度对Ce/纳米TiO2复合粉体的光催化能力的影响规律,并分析其机理.结果表明:Ce掺杂能有效地提高纳米TiO2光催化降解甲基橙的能力,在400℃～700℃的焙烧温度下,纳米TiO2为锐钛型晶型结构,0.4%Ce(质量分数,下同)掺杂的复合粉体具有最好的光催化降解甲基橙的能力,其原因在于Ce4+掺杂有利于在TiO2纳米粒子中心和表面之间产生电势差,实现光生电子-空穴对的有效分离,因此存在一个最佳掺杂浓度使得光催化活性最高;焙烧温度对Ce/TiO2纳米复合粉体的影响依赖于Ce的掺杂量,低掺杂量时,较高的焙烧温度降解效果较好;高掺杂量时,较低的焙烧温度降解效果较好.
关键词:
Ce
,
纳米TiO2
,
光催化
,
掺杂量
,
焙烧温度
王勇
,
高家诚
,
李伟勤
,
周永贵
,
陈功明
材料导报
测试分析了不同掺杂量的材料经过还原和烧结后获得的Si、Al、K残留量,并对不同Si、Al、K掺杂量的钼丝的再结晶行为进行了研究.结果证明元素残留量随掺杂量的增加而增加,通过拟合得到了二者之间的数学关系.通过热分析发现,掺杂钼丝的再结晶温度比纯钼丝提高了550～600 ℃,而且再结晶温度随Si、Al、K掺杂含量的增加而升高.
关键词:
掺杂钼
,
掺杂量
,
残留量
,
再结晶温度
,
二次再结晶
王玉萍
,
王连军
,
袁俊秀
,
彭盘英
,
陆天虹
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.01.012
利用Mo6+的掺杂在TiO2中引入缺陷,从而扩大TiO2催化剂的光谱响应范围.运用UV-Vis、XRD、XPS、TG-DTA等测试技术考察了钼离子掺杂浓度对于TiO2光催化剂吸收光谱范围、晶型、晶胞和晶粒的影响,分析了钼进入TiO2晶格的方式、价态和掺杂催化剂在热处理过程中发生的物理和化学变化.以亚甲蓝溶液的光催化降解为模型反应,考察了掺杂量对这种新型光催化剂的光催化活性的影响.结果表明,Mo6+可进入TiO2晶格中形成杂质缺陷,引起TiO2晶格膨胀,Mo6+的掺杂量影响TiO2晶粒尺寸和晶相转化.Mo6+掺杂的质量分数为4.5%时,样品的吸收带边可达460 nm,对40 mg/L亚甲蓝反应2 h的降解率为58.3%,矿化率为52.5%.而Mo6+的掺杂质量分数为3.0%和6.0%时,形成的TiO2晶粒尺寸较小,TiO2晶粒中锐钛矿相与金红石相的比例接近4:1时,对亚甲蓝降解率分别为56.6%和52.0%,矿化率分别为49.2%和44.2%.
关键词:
Mo掺杂
,
掺杂量
,
可见光
,
光催化
李慧
,
孙彩霞
,
王博
,
陈贺
,
高景霞
,
张洋洋
硅酸盐通报
用传统的固相无压烧结法制备了Li0.02(Na0.52K0.48)0.98Nb0.8T0.2O3-xAg2O(0≤x≤0.1)无铅压电陶瓷,研究了Ag2O掺杂对陶瓷电性能的影响.研究发现,适当掺杂Ag2O能显著提高陶瓷的电性能,在1090℃的烧结温度下,当掺杂量为0.06时,陶瓷的压电性能最佳,d33、Kp、εr、Pr均达到最大(d33=229 pC/N,Kp=55.2％,εr=802,Pr=23 μC/cm2),矫顽场降到最低(Ec=12 kV/cm),应变达到2.0％.但Ag2O的添加使陶瓷的机械品质因数Qm由139.7降到了58.8,使介电损耗tanδ由1.38％增加到了2.7％.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
(KNa)NbO3
,
Ag2O
,
掺杂量
王新刚
,
王亮
,
张怀龙
,
时斌
,
郑雪萍
稀有金属材料与工程
通过PCT设备和SEM分析方法研究了Gd2O3和Nd2O3对LiAlH4放氢性能的影响.结果表明,在相同的条件下,掺杂Gd2O3和Nd2O3的LiAlH4显示了非常好的放氢性能.有关掺杂量(0.5,1,2,3,4,5,6)mol％的研究发现,Gd2O3和Nd2O3对LiAlH4放氢量的影响是非常相似的.其影响趋势为:随着掺杂量的增加,LiAlH4放氢量逐步下降,并且试样的放氢起始时间被明显地缩短了.此外,有关掺杂试样的显微组织研究表明,掺杂Gd2O3和Nd2O3对LiAlH4的显微组织的影响不明显.
关键词:
放氢性能
,
掺杂量
,
显微组织
