崔峰
,
肖奇军
,
吴校生
,
张卫平
,
陈文元
,
赵小林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.053
为在Pyrex玻璃基片上湿法腐蚀出易于金属化(如电镀等)的深凹坑(或凹槽),选用HF:HNO3:H3O为腐蚀液,分别以Cr/Au(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)和Cr/Pt(30nm/300nm,溅射)加光刻胶(15μm)作为掩膜进行腐蚀实验.实验发现在Cr/Pt/光刻胶掩膜下,Pyrex玻璃的腐蚀凹坑横向钻蚀小(钻深比1.34:1),侧壁倾斜光滑,并在凹坑(深约28μm)内成功地电镀了焊盘.该实验结果对要求高深宽比沟槽的微流体器件的制造也有一定参考意义.
关键词:
Pyrex
,
湿法腐蚀
,
掩膜
,
凹坑
,
电镀
王健
,
熊兵
,
孙长征
,
郝智彪
,
罗毅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.014
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
关键词:
干法刻蚀
,
掩膜
,
ICP
,
InP
,
刻蚀端面
倪烨
,
戴强
,
张怀武
,
钟智勇
,
于奇
材料导报
针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺.对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,掩膜技术等进行了实验研究,优化得到了最佳刻蚀条件.应用该技术成功地刻蚀出深度高达330μm的深槽,为MEMS元器件的加工提供了一种参考方法.
关键词:
湿法刻蚀
,
MEMS
,
深槽刻蚀
,
掩膜
巫文强
,
柯旭
,
黄晔
,
王跃川
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.02.004
采用环氧树脂改性超支化聚酯制备了玻璃刻蚀用的光刻胶掩膜,研究了该感光树脂的感光活性、耐刻蚀性,以及加入HCl、HNO3后刻蚀对玻璃刻蚀的影响.结果表明,所得感光树脂对玻璃有较好的附着力,厚度为40～50 μm的胶膜在ω(HF)为40%的溶液中抗浮胶时间超过6 min,光刻胶初始曝光时间T0为2.7 s,反差值γgel为2.8;昆合刻蚀剂对载玻片玻璃的刻蚀速度≥35 μm/min;以该光刻胶为单层掩膜,可得到线宽50 μm的清晰刻蚀图样,玻璃的刻蚀深度超过38 μm.
关键词:
玻璃刻蚀
,
光刻胶
,
掩膜
,
超支化聚酯
张慧玉
,
范俊杰
,
韩先菊
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.12.003
针对东黑刺沟矿区,详细介绍了基于TM数据定量提取蚀变信息的方法、内容及实施步骤,指出此方法应用时需要注意的问题.该方法包括数据检查评价、干扰去除(或称掩膜)、遥感异常的圈定及分级3部分.通过对遥感异常信息进行数理统计,定量化分析,增强了矿化蚀变异常,指出了有用遥感异常找矿区段.结合实际地质概况及矿化信息,验证了本次工作的可靠性.
关键词:
遥感异常信息定量化
,
掩膜
,
异常下限
张约品
,
阮昊
,
沈德芳
,
干福熹
功能材料
磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能.结果表明,AgOx掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能,反应AgOx Ag+O2可逆,适用于LSC-super-RENS光盘.用X-ray和TEM分析了热处理后的AgOx薄膜的成分结构,表明200℃热处理AgOx掩膜存在纳米量级Ag颗粒.
关键词:
AgOx
,
反应溅射
,
掩膜
