李昌龄
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刘技文
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赵燕平
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李延辉
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李娟
材料导报
综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作.介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望.
关键词:
SiC
,
纳米线
,
生长机制
,
制备
,
控制生长
赵启涛
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侯立松
,
黄瑞安
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顾四朋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.005
以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(~50°C)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7~20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
关键词:
CdS纳米棒
,
溶胶模板
,
控制生长