邢向龙
,
焦继伟
,
王跃林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.013
实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.
关键词:
MEMS
,
接触平坦化
,
化学机械抛光
,
均匀性
,
凹陷效应
