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AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

杨艳玲 , 鲁燕萍 , 杜斌 , 杨华猛 , 杨振涛 , 刘征

硅酸盐通报

分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料.采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构.研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01 ~13.98,tgδ为0.158 ~0.163,在Ku波段ε'为11.48 ~10.96,tgδ为0.18 ~0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97 ~24.26,tgδ为0.326 ~0.327.探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理.

关键词: AlN-SiC微波衰减材料 , 损耗机理 , SPS烧结

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