黎建明
,
屠海令
,
郑安生
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.02.018
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切割片表面极不平整,有金刚砂所引起的较粗桔皮皱纹;其表面损伤层深度≤30 μm;双面研磨的锑化镓晶片表面仍有较粗桔皮皱纹,但比切割片的要细,而且桔皮皱纹的深浅随磨砂(Al2O3)粒径的减小而变细变浅;晶片的表面损伤层深度(≤5 μm)也随着磨砂粒径的减小而减小. 一般情况下,其损伤层的深度约为磨砂粒径的1/2. 机械化学抛光加工的锑化镓晶片表面的SEM像观察不到桔皮皱纹;其损伤层深度约55 nm.
关键词:
锑化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光
,
损伤层
黎建明
,
屠海令
,
郑安生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.001
用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.
关键词:
GaAs
,
光学加工
,
断裂模数
,
损伤层
夏宗仁
,
李春忠
,
崔坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.04.018
采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层,其平均值在26.2～52.8μm之间;根据工序要求,选取加工余量为150μm左右,采用天然石榴石研磨粉,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷,并采用化学机械抛光法,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3晶片.
关键词:
LiTaO3晶体
,
损伤层
,
Beiliby层
