余宏
,
谢泉
,
肖清泉
,
陈茜
功能材料
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜.研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h.通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征.结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性.最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si (220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强.在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强.
关键词:
Mg2Si薄膜
,
热蒸发
,
退火时间
,
择优生长
张玉龙
,
姚忻
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.03.008
本文从基片和种膜、LPE的初始阶段研究和超导性能的控制这三个方面回顾总结了液相外延生长REBCO(RE=稀土元素)厚膜的研究进展.我课题组发现的高温超导体氧化物YBCO的过热现象直接证实了采用低包晶熔点的YBCO种膜可以生长包晶温度较高的REB-CO,丰富了种膜的选择范围,此现象尤为值得关注.在LPE生长的初始阶段存在种膜的部分溶解、夹杂的形成和与稀土元素种类有关的择优生长等现象,用包括曲率效应和界面能影响的粗化机制可以解释以上现象.因而生长高结晶性的LPE厚膜时选用高品质的种膜甚为重要.为优化生长工艺,须考虑种膜的品质、熔剂中的Ba/Cu比和气氛对Mg的污染和结晶取向,RE离子对Ba的替代等方面问题,以达到获得高质量的REBCO LPE厚膜的目的.
关键词:
液相外延生长
,
高温超导体
,
厚膜
,
择优生长
张柯
,
黄金亮
,
李丽华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.031
采用NaCl-KCl熔盐法合成了生长各向异性的片状SrBi4Ti4O15粉体,用XRD分析了粉体相的结构,用SEM观察了粉体的微观形貌,讨论了不同预烧温度对合成物结构和微观形貌的影响.与固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点.在850～1050℃之间,合成粉体的片状结构趋于明显,粉体生长各向异性随温度的升高呈现出先增加后减小的趋势,各向异性明显的SrBi4Ti4O15粉体的最佳合成温度为900～1000℃.
关键词:
熔盐法
,
SrBi4Ti4O15
,
择优生长
,
片状结构
冯建情
,
卢亚锋
,
徐晓燕
,
熊晓梅
,
刘国庆
,
张翠萍
,
陈绍楷
,
张平祥
,
周廉
稀有金属材料与工程
研究粉末熔化处理工艺的前驱粉末在不同热处理制度下淬火形成的Y_2BaCuO_5粒子形貌,并与熔融织构生长工艺和熔化粉末熔化生长工艺中的Y_2BaCuO_5粒子进行比较,揭示粉末熔化处理工艺中等轴状Y_2BaCuO_5粒子的形成机制.结果表明,粉末熔化处理工艺中Y_2BaCuO_5粒子形成等轴状的原因是其前驱粉末的组成有利于减少在包晶反应过程中形成过量的液相,抑制了Y_2BaCuO_5粒子的择优生长.
关键词:
粉末熔化处理工艺
,
Y_2BaCuO_5
,
热处理
,
择优生长
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
肖清泉
,
谢泉
,
余志强
,
赵珂杰
材料导报
采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nm Mg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小.
关键词:
Mg2Si薄膜
,
择优生长
,
磁控溅射
,
退火
谈淑咏
,
张旭海
,
李纪宏
,
吴湘君
,
蒋建清
功能材料
直流磁控溅射法制备不同基底负偏压下的CrN薄膜,采用XRD分析薄膜相结构,EDS分析薄膜表面成分,SEM观察薄膜表面形貌,并对偏压作用机制进行了探讨.结果表明,当Ar流量6ml/min、N2流量30ml/min时,在基底负偏压增大过程中,CrN薄膜始终由CrN相组成,但薄膜生长发生了(111)(-50V)向(200)(-125V)再向无明显择优生长(-225V)的转变.低偏压时,CrN薄膜[111]向[200]取向转变主要是轰击表面氮离子浓度增加导致;高偏压时,薄膜中Ar浓度大幅增长,高能离子长时间轰击破坏晶粒取向性,使薄膜呈无择优取向.同时,负偏压增加使薄膜表面形貌从具有棱角的不规则形状逐渐变为粒状结构,且晶粒逐渐细小.
关键词:
基底负偏压
,
择优生长
,
表面形貌
,
直流磁控溅射
韦文生
,
王天民
,
张春熹
,
李国华
,
韩和相
,
丁琨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 nc- Si:H薄膜的 XRD只有一个峰, 峰位在 2θ≈ 47o,晶面指数为( 220),属于金刚石结构.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺 硼 nc- Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能 范围内 nc- Si的晶面择优生长.随着掺硼浓度的增加, nc- Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化. nc- Si随硅烷的稀释比增加而长大,但晶态率降低. nc- Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高. nc- Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓.但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底 温度、射频功率密度的变化引起薄膜中 nc- Si晶面的择优生长.
关键词:
nc-Si:H薄膜
,
掺硼
,
纳米硅晶粒
,
择优生长
,
电场
文波
,
苏晓东
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.004
使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明:衬底温度较低的YSZ薄膜为非晶组织,衬底温度为300-500℃时YSZ晶粒以表面能低的(111)面首先择优生长,衬底温度超过550℃后晶粒活化能提高而使表面能较高的(100)晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状三维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,用PLD技术能在比较低的衬底温度下在Si(100)表面原位外延生长出较高质量的YSZ薄膜.
关键词:
无机非金属材料
,
YSZ薄膜
,
PLD沉积
,
择优生长
,
衬底温度
周耐根
,
周浪
,
宋固全
,
宋照东
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.08.006
用分子动力学方法模拟了Cu双晶和Al双晶薄膜的〈111〉生长,模拟时假定在薄膜平面内保持恒定的等轴双向应变,薄膜中两晶粒的能量计算表明:不同晶粒的能量存在差异,能量较低的晶粒在沉积中择优生长,逐渐取代能量较高的晶粒,Cu膜择优生长速率显著高于Al膜;两种薄膜择优生长的机制完全不同,Cu膜中处于不利位向的晶粒通过孪晶过渡转变为择优取向,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为位错;而Al膜则是通过无序结构重结晶实现上述转变,转变完成、晶界湮灭后薄膜中残留的缺陷为间隙原子.文中对上述择优生长驱动力的来源、以及在纳米多晶中的重要性进行了讨论.
关键词:
Cu膜
,
Al膜
,
择优生长
,
分子动力学
