王晓晗
,
卢冠忠
,
黄仲涛
催化学报
研究了用醇还原VOPO4.2H2O制备的VOHPO4.0.5H2O的晶面择优取向现象及其在正 丁烷和空气混合气体中活化后,产物(VO)2P2O7的晶面择优暴露对正丁烷氧化制顺酐性 能的影响. 以伯醇还原VOPO4.2H2O制备的VOHPO4.0.5H2O晶体,晶面择优取向于( 220)面,晶型为玫瑰状或扭曲的片状聚集体; 活化后的产物仅含(VO)2P2O7相,其(020) 晶面择优暴露. 以仲醇还原VOPO4.2H2O制备的VOHPO4.0.5H2O晶体,晶面择优取 向于(001)面,晶型为平板片状体; 活化后的产物由(VO)2P2O7, VOPO4和无定形相组 成,其中(VO)2P2O7相含量低,其(020)晶面暴露少. 由苄醇、环己醇和3-甲基-3庚醇 还原VOPO4.2H2O制备的VOHPO4.0.5H2O的XRD谱与用仲醇制备的相似. 用一般方 法(V2O5/异丁醇/H3PO4)制备的VOHPO4.0.5H2O晶体不具有晶面择优取向性质 ,活化后得到的(VO)2P2O7的结晶度较低. 由正辛醇还原VOPO4.2H2O制备的VOHPO 4.0.5H2O经活化后,对正丁烷氧化制顺酐的催化性能优于用仲辛醇和一般方法制备的V OHPO4.0.5H2O.
关键词:
醇
,
二水磷酸氧钒
,
还原
,
半水磷酸氢氧钒
,
择优取向
,
正丁烷
,
氧化
郭兵
,
陈长乐
,
罗超
,
张云婕
,
贺健康
人工晶体学报
采用脉冲激光沉积(PLD)法分别在SrTiO3(100)、LaAlO3 (100)和MgO(100)单晶基片上制备了双层钙钛矿锰氧化物La13Sr17Mn2O7(LSMO)薄膜.X射线衍射谱表明三个样品均沿衬底的晶向择优生长;原子力显微镜显示薄膜表面均光滑致密.采用标准四探针法对薄膜的阻温特性进行了研究,发现SrTiO3 (100)和LaAlO3(100)基片上生长的薄膜呈现出明显的金属-绝缘体转变,转变温度分别为340 K和330 K.而在MgO基片上显示绝缘体态,无金属-绝缘体转变.结合阻温曲线的拟合及薄膜与衬底的晶格失配计算,从薄膜应力和激活能变化的角度分析了样品出现不同阻温特性的内在机制.
关键词:
脉冲激光沉积
,
LSMO薄膜
,
择优取向
,
应力
,
激活能
王成磊
,
高原
,
卜根涛
,
申罡
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.02.014
采用双层辉光等离子渗金属技术,在碳钢表面进行反应合成TiN层,研究了各种工艺参数对合成TiN层相结构的影响.结果表明:当TiN层较薄时,表面能起控制作用,TiN层的生长显示出{lOO)取向生长趋势,使TiN层系统自由能较低;而当TiN层较厚时,应变能占主导因素.对TiN层生长起主要控制作用,使TiN层呈现出{111}择优取向,有利于TiN层系统自由能的降低.即TiN层随厚度增加,{111}择优取向生长越明显.
关键词:
双层辉光
,
择优取向
,
TiN薄膜
,
相结构
邱媛
,
唐超
,
赵晴
,
李圆圆
,
于宽深
,
王智博
腐蚀与防护
采用盐水浸泡试验,电化学测试和盐雾试验研究了碱性锌酸盐体系中获得的高择优取向镀锌层和随机取向镀锌层的耐蚀性能,对比了不同取向镀锌层三价铬和六价铬钝化膜的耐蚀性;采用盐雾试验对比了两种取向镀锌层和氰化镀锌层的耐蚀性.结果表明,高择优取向镀锌层的耐蚀性优于随机取向镀锌层;两种取向的镀锌层经三价铬钝化比六价铬钝化耐蚀性要好;经三价铬钝化处理后的高择优取向镀锌层耐盐雾时间可达720 h.
关键词:
择优取向
,
耐蚀性
,
三价铬钝化
,
盐雾试验
季诚昌
,
朱世根
,
李建国
,
周尧和
稀有金属材料与工程
在自制的超高温度梯度定向凝固装置中,通过对Tb0.27Dy0.73Fe1.95合金定向凝固条件和固液界面形貌及晶体生长取向间的关系进行分析,发现Tb0.27Dy0.73Fe1.95合金定向凝固时发生胞枝转变的的凝固条件为GL/V值介于9.60×102K.s/mm2～10.45×102K·s/mm2之间.固液界面形貌与晶体取向间有明显的对应关系,固液界面形貌为胞状晶或无侧向分枝的树枝晶时其择优取向为〈110〉,结晶形貌为树枝晶时其择优生长方向为〈112〉,而在胞-枝转变区晶体为〈110〉,〈112〉,〈113〉等多种取向的混合.当Tb0.27Dy0.73Fe1.95合金以较低的晶体生长速率定向凝固时易产生〈110〉择优生长方向,并且产生〈110〉择优生长方向时的晶体生长速率范围随温度梯度的增加而扩大.
关键词:
定向凝固
,
Tb0.27Dy0.73Fe1.95合金
,
固液界面形貌
,
择优取向
王梦
,
张发生
,
刘根华
,
于军
人工晶体学报
采用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了(Ba,Sr)TiO3薄膜.基于薄膜的形核理论,研究了溅射气压、靶基距、衬底温度和溅射功率等溅射参数对(Ba,Sr) TiO3薄膜择优取向生长的影响.实验结果表明:磁控溅射中,较高衬底温度(600℃)有助于钙钛矿成相；通过改变磁控溅射参数,能得到(111)、(001)、(110)择优取向的薄膜.
关键词:
BST
,
择优取向
,
磁控溅射
,
形核
于盛旺
,
刘艳青
,
唐伟忠
,
申艳艳
,
贺志勇
,
唐宾
人工晶体学报
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜.使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究.实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响.在CH4浓度由0.5％上升到1.0％时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.O％上升到2.5％时,则由(111)转变为(220)以及(311)；在700 ～ 1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长；在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加.当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低.
关键词:
金刚石膜
,
高功率MPCVD
,
工艺参数
,
择优取向
李凤华
,
王威
,
李英楠
,
罗清威
,
单玉桥
,
樊占国
,
卢亚峰
,
李成山
功能材料
采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.
关键词:
YBaCuO涂层导体
,
Ag
,
择优取向
,
热处理
李彤
,
李驰平
,
王波
,
宋雪梅
,
张铭
,
严辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.011
对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.
关键词:
p-n结
,
阻挡层
,
择优取向
,
整流特性
