王辰伟
,
刘玉岭
,
蔡婷
,
马锁辉
,
曹阳
,
高娇娇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.24.018
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O )在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP 条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O 络合剂时,铜的去除速率仅为45.0 nm/min,少量FA/O 的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O 含量为50 mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O 对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
关键词:
络合剂
,
TSV
,
化学机械平坦化
,
抛光速率
储向峰
,
李秀金
,
董永平
,
张王兵
,
白林山
稀有金属材料与工程
利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响.结果表明在抛光压力为13.79 kPa、H2O2浓度为0.5％,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5％,络合剂EDTA及其浓度为1％时,得到最大抛光速率为312.3 nm/min;在抛光压力为13.79 kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1％、络合剂EDTA为1％、H2O2浓度为1％条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm.并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为.
关键词:
镍
,
化学机械抛光
,
抛光速率
