郑红军
,
卜俊鹏
,
曹福年
,
白玉柯
,
吴让元
,
惠峰
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.001
采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
关键词:
砷化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光片
,
表面损伤层
赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
刘建宁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.02.017
高度PL mapping均匀的SI-GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底.本工作对影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究.发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PL mapping均匀性都有一定的影响;而晶体的AB-EPD和抛光工艺对PL mapping均匀性影响更大,AB-EPD与热处理工艺有关.对实验现象进行了解释.
关键词:
砷化镓
,
单晶
,
均匀性
,
抛光片
,
缺陷
