吕祥鸿
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杨延清
,
马志军
,
黄斌
,
罗贤
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陈彦
稀有金属材料与工程
通过SiC/Ti6Al4V钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验,利用SEM,EDS及XRD分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径.结果表明:反应元素如C,Ti,Si在界面反应层中出现浓度波动,合金元素Al并没有显著扩散进入界面反应产物层,而是在界面反应前沿堆积,其界面反应产物被确认为Ti3SiC2,TiCx,Ti5Si3Cx和Ti3Si;在界面反应初期,存在着TiC+Ti5Si3Cx双相区,当形成各界面反应产物单相区时,SiC/Ti6Al4V复合材料界面反应扩散的完整路径应为:SiC | Ti3SiC2 | Ti5Si3Cx | TiCx | Ti3Si | Ti6Al4V+TiCx;界面反应产物层的生长受扩散控制,遵循抛物线生长规律,其生长激活能Qk及k0分别为290.935 kJ·mol-1,2.49×10-2m·s-1/2.
关键词:
SiC/Ti6Al4V
,
界面反应产物
,
扩散路径
,
生长激活能
周飞
,
李志章
中国有色金属学报
用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接， 实验考察了保温时间对连接强度的影响。 用SEM， EPMA和XRD对连接界面进行微观分析， 并用扩散路径理论， 研究了界面反应产物的形成过程。 结果表明： 在连接过程中， Cu与Ti相互扩散， 形成Ti活度较高的液相， 与氮化硅发生反应，在界面形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4＋TiSi2/TiSi2＋Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层。 保温时间主要是通过影响接头反应层厚度和残余热应力大小而影响接头的连接强度。
关键词:
部分瞬间液相连接
,
氮化硅
,
扩散路径
,
界面反应
,
连接强度
