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吴晓虹 , 闵靖
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.022
讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。
关键词: 扩展电阻技术 , 倾斜角 , 扩散 , 离子注入
