王光伟
,
张建民
,
倪晓昌
,
李莉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.03.007
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理.简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用.概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等.对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释.
关键词:
金属诱导结晶
,
金属诱导横向结晶
,
固相反应
,
扩散
,
电场增强横向诱导结晶
,
成核激活能
,
晶粒生长
