董光明
,
孙国雄
,
廖恒成
,
韩正铜
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.007
为研究杂质原子在面心立方晶体内诱发的孪晶,采用刚性球模型进行计算研究.计算结果表明,当杂质元素的原子半径与晶体的原子半径之比约为1.65时,如果杂质原子吸附在面心立方晶体的{111}晶面上时,将可能在该{111}面上的某个[112]晶向上及与该{111}面的该[112]晶向成109.5°的另一个{111}面上的某个[112]方向上同时诱发挛晶,即诱发成对的挛晶,而不是仅仅在原来的{111}晶面上诱发一处孪晶.杂质原子诱发成对孪晶及单孪晶的的可能性各为50%.
关键词:
成对的挛晶
,
面心立方
,
杂质原子
,
共晶硅
,
变质
