董雷
,
张瑞康
,
江山
,
赵圣之
,
刘水华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009
本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl1/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响.基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm.
关键词:
等离子体刻蚀
,
干法刻蚀损伤
,
感应耦合等离子体
,
光荧光
王刚
,
李威
,
李平
,
李祖雄
,
范雪
,
姜晶
材料导报
使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究.分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势.研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀.BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整.
关键词:
BZN薄膜
,
感应耦合等离子体
,
干法刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
肖耀坤
,
张峰
,
刘振华
,
陈宗璋
,
王旭辉
,
余刚
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.05.021
铑作为一种贵金属,准确测定其在镀液中的含量非常重要.通过对铑的标准浓度溶液进行重量法、等离子体发射光谱法(ICP)、火焰原子吸收光谱法(FAAS)和改进后的FAAS(引入一个校正因子, 对FAAS测定方法进行了优化、校正)等不同方法的测定,比较了不同测定方法的适用范围和精确度.结果表明:对于杂质少的铑电镀液,宜采用重量法测定,其测定偏差在4%以内,硼氢化钠作为还原剂的重量法的测定偏差可控制在0.2%以内;对于杂质多的铑电镀液,用ICP,改进后的FAAS均能获得满意结果,相对偏差都小于1% .
关键词:
检测
,
铑电镀液
,
重量法
,
火焰原子吸收光谱法
,
感应耦合等离子体
徐纯洁
,
张福刚
,
崔立加
,
张雪峰
,
徐浩
,
刘日久
,
李根范
,
王世凯
,
郑载润
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173204.0265
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性.研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性.经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题.
关键词:
感应耦合等离子体
,
干法刻蚀
,
下部电极
,
光刻胶
,
湿法去胶
张宇峰
,
张溪文
,
任兆杏
,
韩高荣
材料导报
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜.介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论.
关键词:
离子束辅助沉积
,
薄膜
,
感应耦合等离子体
孔华
,
辛煜
,
黄松
,
宁兆元
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.011
在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用"法拉第筒"式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系.在所施加的-20～300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值＜100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值＞100V时,θ在15°～60°范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ＞60°时归一化刻蚀速率快速下降,在90°附近SiO2表面出现聚合物沉积.θ＜60°时,SiO2的表面刻蚀主要决定于入射离子与基片表面间的能量转换,转换能量的大小深刻地影响着SiO2的刻蚀速率,同时也影响形成于基片表面的碳氟聚合物的去除速率.
关键词:
感应耦合等离子体
,
归一化刻蚀速率
,
法拉第筒
