张雪峰
,
李会容
,
武昭妤
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.09.005
采用射频溅射法在Si基片上制备BaSrTiO3(BST)薄膜,利用X射线衍射和原子力显微镜(AFM)研究了快速热处理温度和时间对BaSrTiO3薄膜微结构的影响.结果表明:BST薄膜的衍射峰强度和结晶度随退火温度的升高而提高.随退火温度的升高,BST薄膜的表面粗糙度经历先降低后增大的过程,而BST薄膜的晶粒尺寸单调减小.当退火温度为700℃时,随退火时间的增加,BST薄膜的晶粒尺寸几乎不发生变化,而表面粗糙度单调减小.
关键词:
BaSrTiO3薄膜
,
晶化
,
快速热处理
,
XRD
,
AFM
程晋荣
,
罗来青
,
孟中岩
功能材料
采用改进的溶胶一凝胶技术,在Pt/Ti/TiO2/SiO2/Si(100)基片上制备了压电PZT薄膜,用XRD和APM技术分析了不同热处理工艺条件下PZT薄膜的微观形貌变化及相结构演化,系统测试了PZT薄膜的铁电性能.工艺-结构-性能研究结果表明:快速热处理工艺(RTA)有利于PZT薄膜保持较低的漏电流密度,热处理温度是影响晶粒大小的主要因素,而保温时间则对PZT薄膜的致密性、晶粒均匀度和晶界结合状态以及PZT薄膜的铁电性能有明显影响.在优化热处理条件下,PZT薄膜的剩余极化值(Pr)可达27μC/cm2,漏电流密度为10-7A/cm2.
关键词:
溶胶-凝胶
,
快速热处理
,
PZT薄膜
,
铁电性能
邝春福
,
张深根
,
李俊
,
王健
,
徐德超
材料研究学报
将低碳钢以200℃/s分别加热至660℃和750℃超快速退火,将其预应变2％后进行烘烤处理(180℃×20 min),研究了加热温度、均热时间和冷却速率对低碳钢烘烤硬化性能的影响.结果表明:提高加热温度可增加碳化物溶解量,使BH值升高.随着均热时间的延长,660℃低温退火时BH值明显降低.但是在750℃高温退火时碳化物在超快速加热过程中不能充分溶解,因此BH值随均热时间的变化比较复杂:在0-10s范围内,BH值随着均热时间的延长而增加;均热时间超过10s后,BH值则随着均热时间的延长而降低.随着冷却速率的提高,快速冷却抑制固溶C原子析出,使烘烤硬化性能提高.
关键词:
金属材料
,
快速热处理
,
烘烤硬化
,
低碳钢
,
BH值
,
固溶C原子
夏冬林
,
刘梅冬
,
赵修建
,
周学东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.016
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
关键词:
锆钛酸铅(PZT)薄膜
,
PT种子层
,
sol-gel法
,
快速热处理
,
电滞回线
,
Ⅰ-Ⅴ特性
孔凡迪
,
陈诺夫
,
陶泉丽
,
贺凯
,
王从杰
,
魏立帅
,
白一鸣
,
陈吉堃
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.02.016
采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多.使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景.使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间.通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因.
关键词:
半导体材料
,
p-n结
,
快速热处理
,
磷扩散
,
扩散系数
陈雄飞
,
汪雷
,
杨德仁
人工晶体学报
采用超声喷雾法制备了硫化铟(In2S3)薄膜,并考察了后续快速热处理(rapid thermal process,RTP)对硫化铟薄膜性能的影响.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对薄膜的形貌、结构、透射率等性质进行了表征.结果表明:超声喷雾法制备的In2S3,薄膜均匀致密,采用RTP热处理可提高薄膜的结晶性能,但对薄膜的透光性影响较小.通过计算可以得出薄膜的禁带宽度约为2.25～2.38 eV.
关键词:
硫化铟
,
快速热处理
,
超声喷雾法
张林
,
朱正吼
,
左敏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.028
研究了Fe基非晶纳米晶带材采用较快升温速率和不同出炉温度对软磁性能的影响.研究结果表明,采用宽度为(10±0.2)mm、厚度(33±2)μm的带材卷绕成内径为20mm、外径为30mm的圆环磁芯,在以480℃为起始温度,再以1℃/min的速率升至退火温度,当退火温度540℃,退火时间60min,随炉冷却至200℃出炉磁性能最佳,当测试频率f=1kHz,初始磁导率μi=135800,最大饱和磁感应强度Bs为1.157T,剩余磁感应强度Hr为0.6781T,矫顽力Hc为0.6434A/m,与普通真空热处理最佳性能(测试频率f=1kHz,初始磁导率μi＝159700,最大饱和磁感应强度Bs为1.122T,剩余磁感应强度Hr为0.5964T,矫顽力Hc为0.6828A/m)相差不大,在实际生产中可以将起始温度提高到480℃;同时,当出炉温度高于300℃时,带材磁性能下降剧烈.
关键词:
非晶纳米晶
,
快速热处理
,
软磁性能
李建康
,
姚熹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.012
通过MOD法和快速热处理过程,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3(LNO)导电氧化物薄膜.经XRD结构分析表明,所制备的LNO薄膜具有纯的钙钛矿结构,并且以(100)方向择优取向.经SEM和AFM分析表明,LNO薄膜具有表面均匀、无裂纹.经标准四探针法测试表明,LNO薄膜具有好的金属特性,其室温电阻率为7.6×10-4Ω·cm.铁电性能测试表明,LNO薄膜可以提高PZT铁电薄膜的剩余极化强度.
关键词:
LaNiO3薄膜
,
快速热处理
,
钙钛矿结构
