张丽伟
,
周伶俐
,
李瑞
,
李红菊
,
卢景霄
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00369
利用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜, 对样品进行了两步快速光热(RTP)退火. 采用 Raman、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析. 结果表明, 该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右, 断面形貌为柱状结构, 样品中的平均晶粒尺寸约30nm, 晶粒团簇的尺寸最大约1.5μm.
关键词:
快速光热退火
,
columnar grain
,
poly-Si thin film
,
poly-Si thin film solar cells
张丽伟
,
周伶俐
,
李瑞
,
李红菊
,
卢景霄
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.034
利用射频等离子体增强化学气相沉积法(RF-PECVD)在已经预沉积有非晶硅薄膜的石英衬底上低温沉积了N/I非晶硅薄膜,对样品进行了两步快速光热(RTP)退火.采用Raman、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等测试仪器对样品退火前后的结晶状况和微观形貌进行了分析.结果表明,该N/I非晶硅薄膜退火后的晶化率达到了94%左右,断面形貌为柱状结构,样品中的平均晶粒尺寸约30nm,晶粒团簇的尺寸最大约1.5um.
关键词:
快速光热退火
,
柱状结晶
,
多晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜太阳电池
陈小波
,
杨雯
,
段良飞
,
张力元
,
杨培志
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140123
采用磁控共溅射结合快速光热退火技术在单晶硅和石英衬底上制备了含硅量子点的周期性梯度富硅SiNx薄膜(梯度薄膜)和单层富硅SiNx薄膜(单层薄膜).采用Raman光谱、掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和光致发光(PL)光谱分析了薄膜的结构特性、键合特性和发光特性.Raman光谱、GIXRD和TEM结果表明,梯度薄膜和单层薄膜中的硅量子点晶化率分别为41.7％和39.2％;梯度薄膜的硅量子点密度是单层薄膜的5.4倍.FTIR光谱结果显示两种薄膜均为富硅氮化硅薄膜,梯度薄膜的硅含量小于单层薄膜.PL光谱结果表明梯度薄膜中的辐射复合缺陷少于单层薄膜.
关键词:
Si量子点
,
氮化硅薄膜
,
快速光热退火
,
光致发光
张宇翔
,
王海燕
,
陈永生
,
杨仕娥
,
郜小勇
,
卢景霄
,
冯团辉
,
李瑞
,
郭敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.031
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a-Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜.然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量.结果发现,a-Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2.5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用.
关键词:
多晶硅薄膜
,
快速光热退火
,
固相晶化
