游志成
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王玉霞
,
高韶华
低温物理学报
AgI复合材料因其在电化学器件上的潜在应用而受到越来越多的关注.本文介绍采用浸渍热扩散的方法制备有序介孔氧化硅SBA-15/纳米AgI复合材料,对复合材料进行了XRD、TEM、SEM及交流阻抗谱分析表征.结果发现两相复合后AgI的离子电导率提高了约2个量级、相变温度也有较大改变.我们用界面空间电荷区模型解释了离子电导率的提高机理及用同质晶核间表面张力、弹性剪切力理论对相变温度的滞后机理给予了解析.
关键词:
纳米AgI
,
快离子半导体
,
有序介孔氧化硅SBA-15
,
离子电导率
