蒙延双
,
王达健
,
武浚
,
刘会基
,
巨少华
功能材料
采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+(x=0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)荧光体.XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu2+离子部分取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格.Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu2+的4f→5d 跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu2+离子4f65d→4f7跃迁导致的宽带发射.XRD结果表明Mg2+添加浓度从x=0.1～1.0增加,Mg2+离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格.Mg2+离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7∶Eu2+发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7∶Eu2+0.02发射主峰仍位于500nm;x＞0.2后,Mg2+离子取代Sr2+离子使晶体场强度减弱,Eu2+离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+发射峰蓝移至460nm.
关键词:
荧光体
,
Sr2Al2SiO7∶Eu2+
,
Mg2+离子
,
微结构与光谱
蒙延双
,
朱福良
,
王达健
功能材料
采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2+离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2+离子取代Sr2+离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2+离子取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2+离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2+离子外层电子受Ba2+离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2+离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2+离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022+荧光体的发射峰相比出现红移.
关键词:
荧光体
,
Sr2Al2SiO7:Eu2+
,
Ba2+离子
,
微结构与光谱
