陈之战
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肖兵
,
施尔畏
,
庄击勇
,
刘先才
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.007
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出ф45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω.cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级.
关键词:
碳化硅单晶
,
晶体生长
,
PVT法
,
微管道
