张晓丹
,
朱锋
,
赵颖
,
侯国付
,
魏长春
,
孙建
,
张德坤
,
任慧志
,
薛俊明
,
耿新华
,
熊绍珍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.033
本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.
关键词:
甚高频等离子体增强化学气相沉积
,
氢化微晶硅薄膜
,
傅立叶变换红外光谱
,
X射线衍射
,
微区喇曼光谱
张晓丹
,
赵颖
,
朱锋
,
魏长春
,
孙建
,
侯国付
,
薛俊明
,
耿新华
,
熊绍珍
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.041
本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品.喇曼测试结果显示:在不同硅烷浓度(SC)条件下,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点;暗电导随晶化率也体现出不同的变化,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的;另外,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈"菜花"状和剖面为柱状的结构特征.
关键词:
甚高频等离子体增强化学气相沉积
,
过渡区
,
微区喇曼光谱
,
扫描电子显微镜
