介万奇
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人工晶体学报
利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体.通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变.晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面.利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征.XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001].紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%.由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰.所生长的α-HgI2晶体电阻率约为1011Ω·cm,满足制作核辐射探测器的要求.
关键词:
碘化汞晶体
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形貌转变
,
XRD
,
近红外透过率
,
I-V特性
许岗
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李高宏
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介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
