林宏
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袁望治
,
赵振杰
,
程金科
,
辛宏梁
,
吴志明
,
阮建中
,
杨燮龙
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.029
用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
磁导率
,
弛豫频率
,
等效电路
