唐一文
,
陈志钢
,
张丽莎
,
贾志勇
,
张新
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.032
通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40～50nm的Cu2O薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率.
关键词:
氧化亚铜薄膜
,
二氧化钛膜
,
异质结电极
,
光电化学
