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气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

徐安怀 , 陈晓杰 , 齐鸣 , 朱福英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.005

采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬 底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件 下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和 迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.

关键词: 分子束外延 , 碳掺杂 , 四溴化碳 , InGaAs , 异质结双极晶体管

Si/SiGe异质结双极晶体管的研制

杨沛锋 , 李开成 , 何林 , 刘道广 , 张静 , 李竞春 , 谢孟贤 , 杨谟华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.007

通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.

关键词: 锗硅材料 , 分子束外延 , 异质结双极晶体管 , 优化设计

氮化镓基电子与光电子器件

李效白

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.022

GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料.宽禁带Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光/蓝光/绿光光发射二极管走向商业市场,证明InGaAs/GaN/AlGaAs紫罗兰色异质结激光器能够在室温和脉冲或连续波条件下工作,是性能优越的光电器件的理想材料.本文综述了上述研究成果.

关键词: 氮化硅 , 发光管 , 激光管 , 场效应管 , 异质结双极晶体管

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

李冰寒 , 刘文超 , 周健 , 夏冠群

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.019

制备了大尺寸 AlGaInP/GaAs SHBT和 DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了 AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响 AlGaInP/GaAs HBT开启电压(Voffset)的各个因素.结果表明: AlGaInP/GaAs HBT开启电压与外加基极电流密切相关,采用宽发射区可大大降低器件的开启电压.

关键词: 异质结双极晶体管 , AlGaInP/GaAs , 直流特性 , 开启电压

InGaAs/InP HBT材料的GSMBE生长及其特性研究

徐安怀 , 邹璐 , 陈晓杰 , 齐鸣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.018

本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.

关键词: 分子束外延 , 异质结双极晶体管 , InGaAs , InP

InGaP/GaAs微波HBT器件与电路研究及应用进展

林玲 , 徐安怀 , 孙晓玮 , 齐鸣

材料导报

概述了近年来微波InGaP/GaAs异质结双极晶管(HBT)器件和集成电路的研究和应用现状,着重阐述了HBT器件的热设计、降低偏移电压、离子注入隔离、湿法腐蚀,以及用于电路设计的等效电路模型等关键问题.

关键词: 异质结双极晶体管 , InGaP/GaAs , 微波单片集成电路

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