王刚
,
杨虹
,
凌志华
,
杨柏梁
,
黄锡珉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.03.002
提出了一种有效提高开口率的新型黑矩阵方式的设计思想. 与传统黑矩阵相比, 在不增加工序和增大工艺难度的基础上, 提高了开口率. 同时, 通过对黑矩阵尺寸的优化设计,得到了较好的视角特性. 将这种方式的黑矩阵应用于40.9cm(16.1英寸)SXGA(1 280×3RGB×1 024)全彩色液晶显示屏, 可使开口率提高6%.
关键词:
黑矩阵
,
对比度
,
开口率
,
视角特性
程松华
,
曾祥斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.023
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等.ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中.ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80 %以上的透射率,迁移率可以高达36 cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备.基于这些优点,ZnO TFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-Si TFT的趋势.同时对ZnO TFT的研究也推动了透明电子学的发展.本文阐述了ZnO TFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望.
关键词:
ZnO TFT
,
迁移率
,
开/关电流比
,
有源矩阵液晶显示器
,
开口率
金奉柱
,
崔瑩石
,
劉聖烈
,
張炳鉉
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
,
Jung-yeal LEE
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
关键词:
TFT-LCD
,
开口率
,
刻蚀
,
CF4等离子体
