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ZnO微米刺球的CVD法生长及其在压电应力传感器中的应用

刘欣 , 胡礼中 , 张贺秋 , 邱宇 , 赵宇 , 骆英民

人工晶体学报

利用化学气相沉积(CVD)方法生长出一种新颖的氧化锌(ZnO)微米刺球状结构,并使用该结构制备出一种新型压电应力传感器件.使用半导体特性分析系统(Keithley 4200)对器件特性进行测试,结果表明该种器件对所施加的应力高度敏感,开关比高达约60,比目前多数ZnO基压电应力传感器件高出数倍,在应力检测和机电开关等领域有很好的应用前景.

关键词: 氧化锌 , 微米刺球 , 化学气相沉积 , 压电应力传感器 , 开关比

SiNx∶H薄膜沉积条件变更对TFT特性的影响

李婧 , 张金中 , 谢振宇 , 阎长江 , 陈旭 , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132804.0547

利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.

关键词: SiNx∶H界面态 , Si/N , 开关比 , TFT特性

基于PVK/PbS纳米晶有机无机复合薄膜电双稳器件性能研究

刘娟 , 李云白 , 侯延冰 , 王越 , 吕龙峰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163107.0643

通过简单旋涂方法,制备了一种基于硫化铅(PbS)纳米晶与聚乙烯基咔唑(PVK)的有机/无机复合薄膜电双稳器件,并对所制备的器件进行性能测试及其电荷传输机制研究.首先采用热注入的方法制备了尺寸均一的立方形 PbS 纳米晶,然后将 PbS 纳米晶与 PVK 聚合物混合作为活性层材料,制备了有机/无机复合薄膜电双稳器件.该器件展示了良好的电双稳特性并且可以实现稳定的“读-写-读-擦”操作.器件的最大电流开关比能够达到104.并进一步对器件在正向电压下的 I-V 曲线进行了理论拟合,发现在不同电流传导状态下,器件符合不同的电传导模型.进而分析了该电双稳器件中的电荷传输机制,认为在电场的作用下,发生在纳米晶与聚合物之间的电场诱导电荷转移是产生电双稳特性的主要原因.

关键词: 有机无机复合薄膜 , 电双稳器件 , 开关比 , PbS 纳米晶

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