赵若禺
,
毋志民
,
王敏娣
,
邓军权
,
丁水燕
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.09.024
钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理.由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注.从介绍钙钛矿氧化物的结构入手,着重阐述了钙钛矿钴氧化物中Co离子自旋态转变的研究进展,并对钙钛矿钴氧化物中存在的其他物性进行了简单综述.
关键词:
钙钛矿钴氧化物
,
钴离子
,
自旋态
,
庞磁电阻效应
原晓波
,
刘宜华
,
黄宝歆
,
王成建
,
梅良模
功能材料
在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.
关键词:
庞磁电阻效应
,
低场磁电阻
,
颗粒体系
,
两相复合结构
,
导电陶瓷
麦远棠
,
任忠明
,
熊永红
,
张炯
,
皮厚礼
,
魏立国
,
熊曹水
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.010
本文研究了在球磨法制备La2/3Ca1/3MnO3的过程中,不同退火温度对多晶陶瓷样品在微观结构和电磁输运行为方面的影响. 结果表明,退火温度为850℃时,样品已经形成La2/3Ca1/3MnO3相;900℃以下,样品的晶粒为200～300nm,存在明显的晶界效应,在低温区出现明显的CMR效应;随退火温度升高,晶粒迅速长大至微米级,在1400℃退火时达4～5μm,表现出与固相反应法样品类似的性质,并且在金属-半导体转变温度附近出现较大的CMR峰值,在0.3 T外场下达22%.
关键词:
稀土锰氧化物
,
球磨法
,
原子力显微镜
,
庞磁电阻效应
董福营
,
霍国燕
,
王烨
材料导报
综述了研究钙钛矿型氧化物的一些成果,通过介绍钙钛矿型氧化物的结构、磁电性质,归纳了该系列材料共同遵循的一些特征.分别对研究钙钛矿型氧化物的掺杂方法、主要的合成方法进行了对比,期望阐明研究出该类型材料的有益方法,以获得性能更优异的材料.
关键词:
钙钛矿型氧化物
,
庞磁电阻效应
,
双交换作用
,
小极化子
王军华
,
黄宝歆
,
原晓波
,
王成建
,
刘宜华
,
梅良模
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.010
将用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉与(Nb2O5)x/2粉在1100℃下混合烧结,形成了具有钙钛矿结构的锰氧化物与LaNbO4的复合体系,x是掺入的Nb5+离子与母体材料的摩尔比.在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.74 Ω·cm,比LSMO 高三个数量级.Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77 K下,0.1 T和1 T磁场下在x=0.07 样品中分别得到24 % 和33.8 %的磁电阻效应,是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.05样品的磁电阻最大,为9 %.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.
关键词:
稀土掺杂锰氧化物
,
庞磁电阻效应
,
自旋相关散射
,
自旋相关隧穿
卫芬芬
,
熊曹水
,
熊永红
中国稀土学报
将IrO2掺杂到固相反应法制备的La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3(LCSMO)微粉中,制备了(1-x)La0.7Ca0.2Sr0.1MnO3+xIrO2(LCSMO/IrO2)复合体系.通过X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)以及直流四探针法测试,对复合材料的结构及性能进行了研究.结果发现,在复合体系中,一部分Ir4+离子取代了B位的Mn4+离子,另一部分以IrO2氧化物的形式存在于颗粒的边界处.随着IrO2掺杂量的增加,样品的比饱和磁化强度(σs)快速下降,而居里温度(Tc)先下降后上升,电阻率也发生显著变化.与此同时,IrO2的掺杂使样品的低场磁电阻效应(LFMR)和高场磁电阻效应(HFMR)都有所增强,在H=3 kOe,T=307 K,x=5%的样品磁电阻达到11.65%;同样对于x=5%的样品,在H=2 T,T=295 K,磁电阻达到28%,室温磁电阻得到显著增强,这可能与本征磁电阻效应的特点及材料的Tc和相变温度接近室温有关,另外掺杂物本身的特性对磁电阻的增强也有一定的影响.
关键词:
庞磁电阻效应
,
锰氧化物
,
自旋极化隧穿
,
晶界效应
,
稀土
黄宝歆
,
王军华
,
原晓波
,
王成建
,
刘宜华
,
梅良模
功能材料
将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构.随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化.在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致.Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.
关键词:
稀土掺杂锰氧化物
,
庞磁电阻效应
,
自旋相关散射
,
自旋相关隧穿
原晓波
,
刘宜华
,
黄宝歆
,
王成建
,
张汝贞
,
梅良模
功能材料
在溶胶-凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)/(CuO)x(x=0.01～0.1,为摩尔比) 掺杂材料,实验结果发现,随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0.01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关.实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高,当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8.4%,比未掺杂的LBMO提高了50%.低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题.
关键词:
稀土掺杂锰氧化物
,
庞磁电阻效应
,
颗粒体系
,
导电陶瓷
,
室温磁电阻
秦宏伟
,
胡季帆
,
王亦忠
功能材料
我们制备了氧化物材料La0.65Ca0.35 Mn1-xFexO3(x=0、0.01、0.02、0.03),研究了材料在低场0.57T下的磁电阻效应.我们发现氧化物材料La0.65 Ca0.35Mn1-xFexO3的居里温度Tc及电阻峰位温度Tp均随铁含量的增加而下降,这主要是因为Fe离子不参加双交换作用,且阻挡了双交换作用的进行,材料的铁磁作用随铁含量增加而减弱.利用迪尼模型计算了La0.65Ca0.35Mn1-xFexO3材料在零场及磁场为0.57T下电阻随温度的变化关系,理论计算结果与实验数据吻合得较好.
关键词:
庞磁电阻效应
,
钙钛矿结构
,
稀土氧化物
李冠欣
,
李合琴
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.05.012
研究了钙钛矿型锰氧化物La1-xNaxMnO3(x=0.1, 0.2)多晶块材的电磁输运性能和庞磁电阻(CMR)效应以及低温下的团簇玻璃态行为. 研究表明该材料具有菱形(R3C)结构, 材料的居里温度TC均在室温或室温以上, 样品的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现3个峰, 定义中间最高电阻峰温度为TP1, 低温电阻峰温度为TP2, 高温电阻峰温度为TP3. 综合磁化强度测量的结果, 认为TP1与居里温度TC相对应, 来源于顺磁绝缘体向铁磁金属的转变, 同时在此附近出现较大的低场室温磁电阻(LFMR)效应, TP2峰出现的原因是在此温度附近出现了相分离. 另外, 磁化强度测量观察到La0.8Na0.2MnO3低温下的团簇玻璃态行为, 其出现原因认为是随着Na+离子掺杂量的升高, 样品中的Mn4+离子数量增加并且Mn3+和Mn4+离子不均匀分布.
关键词:
庞磁电阻效应
,
相分离
,
团簇玻璃态
