材料期刊网

底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法

徐家跃

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.001

为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做"底部籽晶法"的新生长方法.通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂.采用底部籽晶法,成功地生长了新型弛豫铁电晶体(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(0≤x≥0.2)、近化学计量比LiNbO3晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂K3Li2-xNb5+xO15+2x(0

关键词: 底部籽晶体法 , 化学计量比 , 晶体生长 , 助熔剂