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大应变In0.3Ga0.7As/GaAs量子阱激光器的生长和研究

任忠祥

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.06.013

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet).

关键词: 应变量子阱激光器 , MOCVD , 生长中断 , 应变缓冲层