汪晓芹
,
介万奇
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.006
采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2%Br2-MeOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面.AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30%,平整度增加.XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面变成了富Te非极性表面.PL分析发现表面陷阱态密度降低,表面晶格的完整性增强.
关键词:
CdZnTe
,
化学抛光
,
腐蚀速率
,
平均粗糙度
,
表面组成
,
缺陷
王浩亮
,
孙晓燕
,
介万奇
人工晶体学报
本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnxTe的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnxTe进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面.AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8%,整体均匀性提高.SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除.77 K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
腐蚀速度
,
平均粗糙度
,
电阻率
李曼
,
蒲明华
,
宋铭洋
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.08.021
目的：研究提高NiW合金基带表面质量的脉冲电化学最佳抛光工艺。方法以磷酸为主要抛光酸剂,以甘油为缓冲剂配置抛光液,采用脉冲电化学抛光技术,研究电流密度、脉冲频率、脉冲占空比对NiW基带的表面抛光效果的影响。通过扫描电镜和原子力显微镜对抛光后的基带表面微观形貌进行表征,获得最佳脉冲电化学抛光工艺。结果最佳工艺为：平均电流密度25 A/dm2,脉冲频率毫秒级(1000 Hz以上),脉冲占空比1：4,抛光时间10 min。扫描电镜结果表明,抛光后的基带表面平整致密,轧制和热处理产生的条纹、晶界等缺陷都被消除,在此抛光工艺下,可以有效降低NiW基带表面粗糙度,提高基带表面质量。原子力显微镜测试4μm×4μm范围内的表面平均粗糙度为几个纳米,表明抛光基带表面非常平滑,达到镜面效果。结论最佳抛光工艺下,可以显著改善NiW基带的表面质量,获得好的基带表面状态,满足涂层导体对金属基带材料表面质量的要求。
关键词:
涂层导体
,
Ni-5％W基带
,
脉冲电流
,
电化学抛光
,
磷酸
,
平均粗糙度
高永超
,
程好
,
杨淑平
,
庄维伟
,
蔡渊
,
张国栋
表面技术
目的 研发一种适合工业生产连续带材的非接触式电化学抛光方法.方法 采用以磷酸-硫酸为主要氧化剂的环保型电化学抛光液对金属基带进行电化学抛光,研究阳极电流密度(JA)、电解液温度(t)、基带与电极间的距离(L)和走带速度(v)对基带表面粗糙度的影响,优化抛光工艺条件.结果 优化的工艺条件如下:JA为1500 ～ 2500 A/m2,t为40 ～ 80℃,L为4～12 mm,v为0.5～1.8 m/min.在此工艺条件下进行电化学抛光,极为有效地降低了金属基带的表面粗糙度,光亮度达到镜面状态,原子力显微镜测试5μm×5μm范围内的表面平均粗糙度值低于1.0 nm.结论 该抛光工艺实现了千米级基带的连续性抛光,达到工业化生产要求.
关键词:
非接触式
,
电化学抛光
,
工艺条件
,
平均粗糙度
胡燕慧
,
张浩
,
滕华湘
,
李洁
,
商婷
,
刘光明
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.09.024
目的：研究热镀锌板表面平均粗糙度Ra和峰值数Rpc对无铬耐指纹热镀锌板表面耐指纹性、耐腐蚀性和涂装性的影响。方法将Ra=0.6~1.1μm和Rpc=55~100的热镀锌板制成耐指纹板,采用X射线光电子能谱仪分析其组成,采用分光光度仪分析其耐指纹性,采用硫酸铜混合溶液滴定和盐雾试验方法检测其耐腐蚀性,采用涂漆和冲击实验检测其涂装性。结果耐指纹膜和锌层表面形成Si—O—Zn金属键,耐指纹膜除了物理结合,还通过化学键合的方式与锌层表面结合。在充分交联固化和化学键合的情况下,无铬耐指纹热镀锌板耐指纹性不受热镀锌板Ra和Rpc的影响；热镀锌板Ra值越低,耐腐蚀性越好；耐指纹膜单位质量为1.1 g/m2,Ra≤1.1μm时,耐指纹板72 h盐雾试验白锈面积不大于5%；热镀锌板Rpc值越高,无铬耐指纹热镀锌板涂装性越好,Rpc≥80时,耐指纹热镀锌板涂漆冲压后,漆膜完好。结论 Ra和Rpc对热镀锌板耐指纹性影响不大,对耐磨蚀性和涂装性影响显著。
关键词:
无铬耐指纹热镀锌板
,
平均粗糙度
,
峰值数
,
耐指纹性
,
耐腐蚀性
,
涂装性
