刘启能
人工晶体学报
为了解释一维大周期数声子晶体全反射隧穿效应的产生机理,利用波的干涉理论推导出一维大周期数声子晶体的全反射隧穿峰的透射率公式和频率公式,成功解释了一维大周期数声子晶体的全反射隧穿现象的产生机理.利用干涉理论和共振理论对一维大周期数声子晶体全反射隧穿现象的特征进行了比较研究,两者的结论是一致的.
关键词:
声子晶体
,
大周期数
,
全反射隧穿
,
干涉
杨程亮
,
吴强
,
禹宣伊
,
张心正
,
孔勇发
,
许京军
人工晶体学报
利用飞秒激光脉冲,在50μm厚的铌酸锂晶体薄片中产生了太赫兹声子极化激元波.使用飞秒加工技术在铌酸锂晶体薄片上刻制了针对太赫兹声子极化激元波的衍射和干涉微结构.利用已经构建的偏振门探测成像系统实时动态地记录了太赫兹声子极化激元波的时间和空间传播过程.对不同频率的声子极化激元波在不同尺寸狭缝的动态衍射和干涉的过程进行了时间分辨的二维成像探测和分析,直观地展示了其衍射和干涉的时空特性.
关键词:
铌酸锂晶体
,
太赫兹
,
声子极化激元
,
时间分辨成像
,
衍射
,
干涉
熊伟
,
方勇华
,
荀毓龙
,
黄烨
,
黄斌
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.007
折射式扫描干涉仪与传统干涉仪相比具有高稳定性和高光通量等优点,但其光程的改变是由补偿光楔的运动产生的,其结构也导致了不同波长的光经过的光程不同,从而导致了由干涉图变换出来的光谱在波数上有偏差.采用的波数校正方法很好的解决了这一问题,并具有很高的精度.
关键词:
应用光学
,
波数
,
校正
,
干涉
王飞
,
贾新鸿
,
邓涛
,
吴正茂
,
夏光琼
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.019
提出了一种利用具有干涉作用的半导体光放大器(SOA)环形腔实现全光频率倍增/恢复的新方法,该方法同相关实验比较具有显著优势.数值结果表明:2.5 GHz的光脉冲序列注入SOA环形腔,可输出重复频率为5～25 GHz振幅均衡、与入射光偏振无关的光脉冲序列;SOA的偏置电流对SOA环形腔输出脉冲振幅的均衡度影响显著,对于基频为2.5 GHz和10 GHz输入脉冲序列分别存在一最佳的SOA偏置电流值;从传输速率为2.5 Gbit/s的27-1伪随机信号中可提取出重复频率为分别2.5 GHz和5 GHz的幅度均衡的时钟信号.
关键词:
光通信
,
全光频率倍增/恢复
,
半导体光放大器
,
环形腔
,
干涉
刘夏吟
,
苏艳平
,
徐志君
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.03.011
研究了两部分具有量子涡旋的玻色凝聚气体相干叠加时的干涉演化图样,并与没有涡旋的情况进行比较.研究发现,在涡旋态下,干涉条纹变得倾斜并且在涡旋核处条纹发生融合.根据干涉条纹的倾斜方向可判断涡旋的方向,由干涉图样在涡旋核处融合的条纹数可确定涡旋量子数.这种特殊的干涉结构图样为实验探测涡旋提供了有效的方法.
关键词:
量子光学
,
量子涡旋
,
干涉
,
玻色凝聚气体
,
双磁阱
李艳菲
,
张方辉
,
牟曦媛
,
杜红兵
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0308
将Alq作为覆盖层真空蒸镀到玻璃基板后制作底发射有机电致发光器件(OLED),所制备的器件结构为:Glass/Alq(x nm)/Al(15 nm)/MoO3 (30 nm)/NPB(60 nm)/Alq(65 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm).通过研究器件光辐射特性曲线,可以看出覆盖层厚度的变化引起光的干涉效应的变化是导致电致发光变化的原因,广角干涉和多光束干涉之间的相互作用可以通过覆盖层的厚度来调节,并且半透明的Al膜做阳极,将覆盖层蒸镀到阳极之外玻璃基板上,半透明的铝膜和覆盖层与阴极组成微腔器件,通过改变覆盖层的厚度调节微腔的腔长,使OLED电致发光光谱的中心波长发生红移.
关键词:
OLED
,
覆盖层
,
干涉
,
微腔
杨荣国
,
武少文
,
杜磊
,
陈宝明
,
董有尔
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2007.05.012
文章提出了一种利用迈克尔逊干涉仪研究透明液体折射率受温度影响变化的实验方法.利用这种方法得到透明液体水从18 ℃～50 ℃的折射率变化曲线.该方法具有操作简单,测量精度高,测试温度范围宽等特点,并可用于多种透明液体折射率的研究,尤其是通过干涉环的吞吐可以形象地反映折射率随温度变化的动态过程.
关键词:
液体折射率
,
温度
,
干涉
邵明
,
刘宏宇
,
孙润光
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.006
为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED),设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管.消光干涉层的结构为:CrOx/Cr/ITO/Cr.在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射.这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配,以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题.制作的器件的对比度为14.7∶1,这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多.结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果,对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标.
关键词:
聚合物发光二极管
,
高对比度
,
干涉
