王刚
,
李威
,
李平
,
李祖雄
,
范雪
,
姜晶
材料导报
使用CF4/Ar高密度感应耦合等离子体(ICP)对磁控溅射法制得的铌酸锌铋(BZN)薄膜进行了干法刻蚀工艺研究.分析了BZN薄膜的刻蚀速率随工艺气体流量比、总流量和工作压强的改变而出现极大值的原因,展示了BZN薄膜的刻蚀速率随ICP功率的增大而线性增加的趋势.研究结果表明,使用CF4/Ar感应耦合等离子体对BZN薄膜进行刻蚀的机理为物理辅助的化学反应刻蚀.BZN薄膜的最佳刻蚀工艺参数为CF4/Ar流量比3/2、总流量25sccm、工作压强1.33Pa、ICP功率800W,使用此参数对BZN薄膜进行刻蚀,最大刻蚀速率为26nm/min,刻蚀后薄膜边缘齐整、表面光滑、形状完整.
关键词:
BZN薄膜
,
感应耦合等离子体
,
干法刻蚀
,
刻蚀速率
,
表面形貌
王健
,
熊兵
,
孙长征
,
郝智彪
,
罗毅
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.014
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.
关键词:
干法刻蚀
,
掩膜
,
ICP
,
InP
,
刻蚀端面
张徐
,
刘波
,
宋三年
,
姚栋宁
,
朱敏
,
饶峰
,
吴良才
,
宋志棠
,
封松林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13210
采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响.结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26％、刻蚀功率为400W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)、刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好.
关键词:
新型相变材料
,
干法刻蚀
,
CF4+Ar气体
,
刻蚀速度
霍晓迪
,
陈兵
,
李知勋
,
李淳东
,
刘华锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0058
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.
关键词:
干法刻蚀
,
侧面接触方式
,
过孔
,
液晶面板
,
低温多晶硅技术
陈丽雯
,
叶芸
,
郭太良
,
彭涛
,
周秀峰
,
文亮
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0363
为了适应LTPS TFT LCD显示屏超高分辨率极细布线的趋势,降低LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀带来的良率损失,提高产品品质,本文研究了LTPS TFT层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化.实验以干法刻蚀为主刻蚀,湿法刻蚀为辅刻蚀的方式,既结合干法刻蚀对侧壁剖面角及刻蚀线宽的精确控制能力,又利用了湿法刻蚀高刻蚀选择比的优良特性,改善了层间绝缘层刻蚀形貌,减少干法刻蚀对器件有源层的损伤,避免有源层被氧化,防止刻蚀副产物污染开孔表面.实验结果表明,干法辅助湿法刻蚀能基本解决刻蚀过程中过刻、残留的问题,使得层间绝缘层过孔不良良率损失减少73％以上,且TFT源漏电极接触电阻减小约90％,器件开态电流提升约15％.干法辅助湿法刻蚀是一种优化刻蚀工艺,提升产品性能的新方法.
关键词:
LTPS TFT LCD
,
干法刻蚀
,
湿法刻蚀
,
层间绝缘层过孔
,
接触电阻
,
器件性能
徐纯洁
,
张福刚
,
崔立加
,
张雪峰
,
徐浩
,
刘日久
,
李根范
,
王世凯
,
郑载润
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173204.0265
通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性.研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性.经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题.
关键词:
感应耦合等离子体
,
干法刻蚀
,
下部电极
,
光刻胶
,
湿法去胶
陆建祖
,
魏红振
,
李玉鉴
,
张永刚
,
林世鸣
,
余金中
,
刘忠立
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.031
以SF6/N2混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法:在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型,可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关.
关键词:
干法刻蚀
,
工艺仿真
,
人工神经网络
陈震
,
魏珂
,
王润梅
,
刘新宇
,
刘训春
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).
关键词:
通孔
,
感应离子耦合(ICP)
,
干法刻蚀
